Das Weißlicht-Interferometer IMS5420-TH von Mico-Epsilon eröffnet neue Perspektiven in der industriellen Dickenmessung von monokristallinen Silizium-Wafern. Dank der breitbandigen Superlumineszenzdiode (SLED) kann es für undotierte, dotierte und hochdotierte Silizium-Wafer eingesetzt werden.
Der Dickenmessbereich erstreckt sich von 0,05 bis zu 1,05 mm. Die messbare Dicke von Luftspalten beträgt bis zu 4 mm. Bei der Produktion von Halbleiter-Wafern kommt es auf höchste Präzision an. Ein wichtiger Prozessschritt ist das Läppen der Siliziumrohlinge, die dabei auf eine einheitliche Dicke gebracht werden. Genau dafür hat Micro-Epsilon die Weißlichtinterferometer der Reihe interferoMETER IMS5420 entwickelt. Sie bestehen aus einem kompakten Sensor und einem Controller, der in einem robusten industrietauglichen Gehäuse untergebracht ist. Eine im Controller integrierte, aktive Temperaturregelung sorgt für eine hohe Stabilität der Messung. Erhältlich ist das Interferometer entweder als Dicken- oder als Multipeak-Dickenmesssystem. Die Multipeak-Variante kann die Dicke von bis zu fünf Schichten messen, zum Beispiel Wafer-Dicke, Luftspalt, Folierung und Beschichtungen >50 µm.
Text- und Bildquelle: Micro-Epsilon Messtechnik
